Виртуальная элементная база - новая концептуальная основа обеспечения модернизации и создания перспективных образцов вооружения

НАУКА И ВОЕННАЯ БЕЗОПАСНОСТЬ № 3/2006, стр. 21-25

Виртуальная элементная база - новая концептуальная основа обеспечения модернизации и создания перспективных образцов вооружения

УДК 621.38

Э.Г.ЛАЗАРЕВИЧ,

главный тучный сотрудник

Научно-исследовательского института

Вооруженных Сил Республики Беларусь,

доктор технических наук, профессор,

действительный член Международной академии информатизации

С.К.КОЛГАНОВ,

заместитель генерального директора ОАО «Конструкторское бюро-1»,

доктор технических наук, профессор,

заслуженный военный специалист Российской Федерации

действительный член Российской академии космонавтики

В.М.АЛДОШИН,

начальник отдела ОАО «Конструкторское бюро-1»,

доктор технических наук, профессор

Изучение имеющегося опыта эксплуатации радиоэлектронной аппаратуры (РЭА) военного назначения показывает устоявшуюся тенденцию опережения морального старения элементной базы РЭА от морального старения образцов вооружения, военной и специальной техники (ВВСТ). Можно с уверенностью сказать, что жизненный цикл эксплуатации многих образцов ВВСТ значительно превосходит жизненный цикл или временной интервал выпуска элементной базы, на которой реализована радиоэлектронная аппаратура образцов ВВСТ. В качестве примера можно привести маловысотный зенитный ракетный комплекс ЗРК С-125, разработанный и поступивший на вооружение в 60-е годы прошлого столетия. Следует отметить, что РЭА ЗРК С-125 выполнена на электровакуумных приборах (по принятой классификации элементная база первого поколения). Однако комплекс еще до сих пор состоит на вооружении некоторых стран мира и постоянно модернизируется. В то же время за срок эксплуатации ЗРК С-125 элементная база прошла пять поколений развития, начиная от электровакуумных приборов первого поколения до сверхбольших интегральных микросхем (СБИС) и систем на кристалле (СнК) пятого поколения.

Радиоэлектронная аппаратура большинства эксплуатируемых в настоящее время образцов ВВСТ реализована на элементной базе 3-го поколения, включающей интегральные микросхемы малой и средней степени интеграции [1]. Анализ состава и конструктивного исполнения РЭА показывает, что функционально законченные узлы этой аппаратуры конструктивно реализованы в виде печатных плат, ячеек и блоков представляющих собой типовые элементы замены (ТЭЗ), с различным количеством универсальных и специализированных микросхем и отдельных компонент, причем количество микросхем и других комплектующих в большинстве ТЭЗ включает десятки или сотни и не превышает тысячи комплектующих. Современный уровень полупроводниковой технологии позволяет осуществить качественно новую реализацию ранее созданных типовых элементов замены на элементной базе пятого поколения. Указанная реализация предполагает интеграцию большого количества микросхем и дискретных элементов в один кристалл. В [2] такая новая реализация названа термином «свертка». В дальнейшем будет показано что «свертка» может включать несколько уровней.

Под «сверткой» первого уровня будем понимать замену ранее установленных в ТЭЗ интегральных микросхем с малыми степенями интеграции и других дискретных элементов на СБИС с сохранением типоразмера ТЭЗ и всех параметров разъема, посредством которого ТЭЗ включается в аппаратуру более высокого уровня (например, в блок). Осуществление «свертки» РЭА первого уровня может значительно продлить срок службы эксплуатируемых и морально не устаревших образцов ВВТ. Следует обратить внимание на тот факт, что при осуществлении «свертки» первого уровня не требуется дорогостоящей переработки конструкции, кабельных разводок, интерфейса и соответствующей документации сворачиваемой РЭА. В исключительном большинстве случаев «свертка» первого уровня предполагает, что вся конструкция остается прежней, но на плате, в ячейке, блоке или любом другом ТЭЗ вместо большого количества комплектующих будет стоять один или несколько кристаллов в виде БИС или СБИС. Другими словами, новые комплектующие, а именно специализированные БИС и СБИС, остаются смонтированными в старые конструктивы (платы, блоки, стойки, шкафы), причем площадь этих конструктивов остается практически' не задействована.

«Свернутая» в БИС и СБИС аппаратура, как правило оформляется в виде IP-блоков (Intellectual Property - интеллектуальная собственность) и включается в библиотеку фрагментов схем разработчика РЭА. В результате осуществления последовательных «сверток» библиотека фрагментов схем постоянно расширяется и может быть использована в качестве некоторых стандартных элементов (комплектующих) для дальнейших «сверток».

Процесс выполнения «сверток» первого уровня может осуществляться поэтапно, причем количество этапов существенно зависит только от экономических возможностей пользователя аппаратуры. В первую очередь сворачивается та аппаратура, которая включает проблемную элементную базу, т.е. морально устаревшую элементную базу, выпуск которой прекращен или существенно ограничен и в ближайшем будущем будет прекращен. Следует отметить, что проблема эксплуатации многих образцов ВВСТ, включающих РЭА с морально устаревшей элементной базой, характерна не только для Республики Беларусь и Российской Федерации, но и для ряда образцов ВВСТ ведущих зарубежных стран, включая США [5]. Необходимость перевода РЭА эксплуатируемых высокотехнологичных образцов ВВСТ на современную элементную базу отечественного производства в настоящее время широко обсуждается и является первоочередной задачей [6].

Виртуальная элементная база - новая концептуальная основа обеспечения модернизации и создания перспективных образцов вооружения

Многоэтапная «свертка» комплектующих РЭА в один кристалл является альтернативой широко применяемой в настоящее время технологии восстановления производства морально устаревшей элементной базы или ее замены на серийно выпускаемые, но более современные и совершенные аналоги. Этот путь по сравнению с предлагаемой технологией экономически неоправдан и технически нецелесообразен.

Экономически неоправдан в связи с тем, что замена устаревшей и не выпускаемой элементной базы на новую серию требует дорогостоящего перепроектирования ТЭЗов и переработки печатных плат под микросхемы другой серии. Это требует разработки практически заново функциональных и принципиальных схем, полной переработки тестов функционального контроля, новой организации настройки и повторного испытания аппаратуры, перевыпуска обновленной конструкторской и технологической документации и т.д. [7].

Технически нецелесообразен потому, что количество комплектующих в этом случае остается практически на прежнем уровне. Следовательно, на прежнем уровне остаются и эксплуатационные характеристики изделий, в том числе их надежность. Таким образом, существенные финансовые и производственные затраты не приводят к улучшению технических и эксплуатационных характеристик РЭА.

Поэтому замена устаревшей элементной базы на современную в виде СБИС и СнК, путем интеграции большого количества комплектующих в один кристалл, является единственным экономически оправданным путем поддержания боеготовности серийно выпускаемых и эксплуатируемых образцов высокотехнологичного вооружения и комплектования ЗИП.

Технология «свертки» существенно отличается от практиковавшейся ранее частичной или полной замены устаревшей элементной базы.

Во-первых, замена большого количества комплектующих на одну или несколько СБИС уменьшает в сотни раз количество межсоединений, что приводит к существенному повышению надежности аппаратуры.

Во-вторых, сокращение числа микросхем на плате до одной или нескольких БИС или СБИС при использовании современных технологий их проектирования и изготовления позволяет, как минимум, на порядок снизить потребляемую ими мощность.

В-третьих, замена большого количества комплектующих на одну-две СБИС при незначительной конструкторской доработке может значительно уменьшить массогабаритные характеристики аппаратуры.

В-четвертых, возможность полного сохранения интерфейса печатной платы или иного типового элемента замены позволяет осуществить замену устаревшей элементной базы на современную в максимально сжатые сроки.

И, наконец, замена относительно большого количества размещенных на плате микросхем и других комплектующих на одну или несколько СБИС экономически выгодна.

Отмеченные достоинства «свертки» 1-го уровня имеют вполне обоснованные признаки, позволяющие считать «свертку» одной из форм экономически оправданной модернизации радиоэлектронной аппаратуры. Поэтому для характеристики технологии «свертки» первого уровня в [3] был использован термин «латентная», т.е. скрытая модернизация.

Экономические затраты на проведение первого этапа «свертки» в большинстве случаев не только окупаются за первый год, но и могут принести значительную прибыль. Прибыль зависит от количества комплектующих, «сворачиваемых» в одну или несколько специализированных СБИС, и многократно увеличивается с ростом количества (тиражности) производимых СБИС. Экономические затраты рассмотрим на примере «свертки» нескольких плат, имеющих различный состав и количество комплектующих, в зависимости от необходимого количества плат, иными словами тиражности СБИС. Первая плата П1 включает общее количество микросхем малой и средней степени интеграции 100, вторая плата П2 - 500, третья плата ПЗ - 1000. «Свертка» такого количества микросхем в один кристалл вполне осуществима при технологии с проектными нормами 2-0,8 мкм. Такие технологии освоены еще в 80-е годы прошлого столетия, и сейчас ими располагают некоторые предприятия, например Минское НПО «Интеграл». Результаты расчета сведены в таблицу.

Следует отметить, что цифры, выделенные в таблице жирным шрифтом, являются ориентировочными и могут значительно колебаться, так как в большой степени зависят от рентабельности заводов - производителей РЭА, фирм - разработчиков специализированных СБИС и ряда других факторов. Однако, независимо от их конкретных значений, результаты расчета, приведенные в таблице, дают четкое представление о положительной тенденции роста прибыли при реализации «латентной» модернизации или «свертки» первого уровня.

Расчет стоимости «свернутой» аппаратуры S производился по формуле

Виртуальная элементная база - новая концептуальная основа обеспечения модернизации и создания перспективных образцов вооружения

где S3 - стоимость разработки СБИС;

S2 - стоимость СБИС при серийном производстве;

п - количество требуемых СБИС в год.

Расчет экономического эффекта или прибыли за 1-й год производился по формуле

Виртуальная элементная база - новая концептуальная основа обеспечения модернизации и создания перспективных образцов вооружения

а за второй и последующие годы по формуле

Виртуальная элементная база - новая концептуальная основа обеспечения модернизации и создания перспективных образцов вооружения

где S1 - отпускная цена платы до модернизации.

Из анализа таблицы следует, что средняя прибыль при осуществлении «свертки» одной платы, например П2, при тиражности СБИС 500 шт., составит примерно $ 500000 в год.

Предлагаемая технология замены устаревшей элементной базы на современную, осуществляемая путем «свертки» многих комплектующих в один кристалл, является, по существу, единственным экономически оправданным путем поддержания боеготовности серийно выпускаемых и эксплуатируемых образцов ВВСТ и комплектования ЗИП.

Ощутимым недостатком «латентной» модернизации или «свертки» первого уровня является то, что свернутая аппаратура (вновь спроектированные специализированные БИС и СБИС) остаются в окружении старых конструктивов (плат, блоков, стоек, шкафов), причем площадь этих конструктивов практически не задействована [4]. Назревает необходимость изменения конструкции РЭА (заменить блок на плату, шкаф на блок, а возможно, шкаф на плату) за счет проведения более глубокой «свертки», базирующейся на результатах «свертки» первого уровня. Использование более глубокой интеграции элементов в кристалле субмикронных технологий при «свертке» РЭА может качественно изменить облик модернизируемых образцов ВВСТ, например, стационарные образцы ВВСТ сделать возимыми, а возимые - сделать носимыми при существенном улучшении их тактико-технических характеристик. Назовем эту более глубокую «свертку» «сверткой» 2-го уровня.

Для осуществления «свертки» 2-го уровня не требуется больших капиталовложений и временных затрат. При ее проведении можно полностью использовать результаты проведения «латентной» модернизации.

Технологию многоэтапной, многоуровневой модернизации образцов ВВСТ путем своевременной замены устаревшей элементной базы РЭА (многократных «сверток») можно считать технологией применения виртуальной элементной базы.

Основной базовой операцией технологии виртуальной элементной базы является операция «свертки», которая предполагает интеграцию комплектующих, реализованных на устаревшей элементной базе, в кристалл с более высокими технологическими нормами. Таким образом, в каждом конкретном случае появления более высоких технологических возможностей (более высоких технологических норм) полупроводникового производства технология виртуальной элементной базы дает возможность разработчикам РЭА, если это экономически оправдано и обосновано, реализовать аппаратуру с использованием более высоких технологических норм на основе СБИС и систем на кристалле.

Предлагаемая технология виртуальной элементной базы - это новый экономически оправданный путь разработки, производства и постоянного совершенствования РЭА для эксплуатируемых, модернизируемых и перспективных образцов ВВСТ. Он позволяет решить ряд сложных проблем, связанных с обеспечением требуемых технико-экономических характеристик РЭА в течение всего срока эксплуатации, существенно повысить тактико-технические характеристики эксплуатируемых образцов ВВСТ и, в конечном итоге, продлить сроки службы или жизненный цикл эксплуатируемых и морально не устаревших образцов ВВТ.

Внедрение технологии виртуальной элементной базы в аппаратуру РЭА может осуществляться на различных этапах жизненного цикла образцов ВВСТ.

Для эксплуатируемых образцов ВВСТ применение технологии виртуальной элементной базы, и в частности многоэтапных «сверток» первого уровня, позволяет:

- выровнять диспропорцию морального старения элементной базы РЭА и эксплуатируемого образца ВВСТ;

- решить проблему модернизации РЭА образцов ВВСТ, связанную с совершенствованием алгоритмов обработки сигналов и информации;

- решить проблему поддержания требуемых технико-экономических и эксплуатационных характеристик в течение всего срока эксплуатации;

- существенно упростить техническое обслуживание РЭА;

- решить проблему формирования и поддержания ЗИП в требуемых количествах.

Кроме того, что наиболее важно, проведение «латентной» модернизации естественным образом, за счет внедрения более высоких технологий, приводит к существенному повышению тактико-технических характеристик образцов ВВСТ, их эволюционному развитию и совершенствованию. Этот факт, в свою очередь, приводит к существенному продлению жизненного цикла ВВСТ.

Для модернизируемых систем вооружения применение технологии виртуальной элементной базы, и в частности операции «свертки» второго уровня, может существенно изменить облик системы вооружения и привести к созданию совершенно нового по своим тактико-техническим характеристикам образца ВВСТ. Другими словами, технология виртуальной элементной базы дает возможность эволюционным путем создать новый образец ВВСТ, который по своим тактико-техническим характеристикам существенно превосходит исходный.

Для перспективных, вновь разрабатываемых образцов ВВСТ применение технологии виртуальной элементной базы позволит существенно сократить сроки разработки и экономические затраты, устранить сложные проблемы, связанные с поддержанием требуемых высоких технических и эксплуатационных характеристик в течение всего срока эксплуатации ВВСТ.

Таким образом, применение технологии виртуальной элементной базы - это не только путь поддержания высоких технико-экономических и эксплуатационных характеристик ВВСТ, но и путь существенного продления их жизненного цикла, эволюционный путь создания новых образцов ВВСТ.

Технология создания виртуальной элементной базы предполагает реализацию аппаратуры РЭА в виде специализированных БИС, СБИС и систем на кристалле. Процессы по созданию и применению специализированных СБИС и СнК в передовых зарубежных странах начали активно развиваться с 90-х годов прошлого столетия [8]. Процессы по созданию и применению специализированных СБИС и СнК в ВВСТ имеют свою специфику, которая зависит от особенностей разработки и эксплуатации образцов ВВСТ. Эти особенности достаточно подробно изложены в [3]. Одна из особенностей эксплуатации ВВСТ, которая не нашла отражения в [3], но которая порождает большинство проблем и создает громадные трудности эксплуатации ВВСТ, кратко была отмечена в начале статьи - устоявшаяся диспропорция сроков морального и физического старения элементной базы РЭА и образцов ВВТ.

Остановимся на этой особенности более подробно. Выше отмечалось, что практически все проблемы и трудности, связанные с отмеченной особенностью эксплуатации ВВСТ, решаются и снимаются применением технологии виртуальной элементной базы. Острота проблемы ускоренного перехода к технологии виртуальной элементной базы связана не только с эксплуатируемыми образцами ВВСТ, но и с разрабатываемыми. Во многих случаях к моменту завершения разработки и испытания новых образцов ВВСТ выясняется, что применяемая в РЭА элементная база устарела и многие позиции элементной базы уже сняты с производства. Связано это с бурным развитием полупроводниковой технологии. В начале статьи отмечалось, что элементная база в своем развитии прошла пять поколений. Следует отметить, что каждое поколение развития элементной базы, в свою очередь, имеет градацию, особенно это относится к третьему, четвертому и пятому поколениям, для которых наиболее актуально применение виртуальной элементной базы. Внутри каждого из этих поколений градация зависит от технологических норм производства интегральных микросхем, которые очень быстро прогрессируют во времени. Возьмем, например, условно диапазон технологических норм для СБИС (2-0,5) мкм. В кристалл с технологическими нормами 0,5 мкм можно интегрировать или «свернуть» десятки микросхем с технологическими нормами 2 мкм. Полупроводниковой фабрике, освоившей технологические нормы 0,5 мкм в общем случае не выгодно производить микросхемы с технологическими нормами 2 мкм, так как это поддерживает устаревшие технологии производства и может привести к неконкурентоспособности данной фабрики. Следует подчеркнуть, что приведенные в примере цифры достаточно условны, однако они показывают тенденцию ускорения «старения» некоторых позиций элементной базы, принадлежащих к одному поколению, связанную с успехами быстрого развития технологии производства интегральных микросхем.

Поэтому методология разработки и производства виртуальной элементной базы для радиоэлектренной аппаратуры ВВСТ должна быть в первую очередь ориентирована на сокращение сроков разработки, уменьшение риска ошибок и исключение итераций перепроектирования СБИС и СнК.

Особенности разработки, испытания и эксплуатации образцов ВВСТ позволяют наметить основные задачи организации работ по созданию технологии виртуальной элементной базы, выделить основные моменты организации взаимодействия разработчиков РЭА и разработчиков СБИС и СнК, определить проблемные вопросы, возникающие при реализации технологии виртуальной элементной базы. Коротко перечислим и определим их содержание, однако подробное обсуждение поставленных задач и возможные пути их решения.- тема для последующих публикаций.

1. Технология применения виртуальной элементной базы требует тесного взаимодействия разработчиков РЭА и элементной базы. Высокие возможности современной технологии проектирования специализированных СБИС и СнК приводят к высокой архитектурной сложности СБИС и СнК и возможности реализовать РЭА полностью на нескольких специализированных СБИС или СнК. Это обстоятельство приводит к тому, что при создании СБИС и СнК разработчики РЭА неизбежно становятся непосредственными участниками проектирования, поскольку только они точно знают, что должно получиться «на выходе». С другой стороны, и проектировщики элементной базы должны обладать определенными системными знаниями, причем чем глубже будут эти знания в конкретной прикладной области, тем более качественной будет проектируемая виртуальная элементная база.

Следовательно, разработчики РЭА для создания технологии виртуальной элементной базы должны привлекать специализированные полупроводниковые предприятия, в последнее время получившие название дизайн-центров. Для обеспечения качественной разработки такие дизайн-центры должны обладать опытом производства больших, сверхбольших интегральных микросхем и систем на кристалле и иметь системные знания в предметной области ведомства производителя РЭА.

Очевидно, что взаимоотношения между разработчиками РЭА и виртуальной элементной базы должны быть настолько тесными, что представляется логичным иметь дизайн-центры в составе организаций - разработчиков РЭА. Необходимость включения дизайн-центров в состав разработчиков РЭА диктуется также следующим обстоятельством. Только специализированные дизайн-центры могут создать библиотеку фрагментов функционально законченных узлов РЭА эксплуатируемых и разрабатываемых систем вооружения и постоянно ее наращивать при осуществлении очередных этапов обновления устаревшей элементной базы. Именно наличие библиотек дизайн-центров, выполненных в виде IP-блоков и HDL-описаний (HDL - Hardware Description Language, язык описания аппаратных ресурсов) фрагментов схем, не зависимых от непосредственных производителей ИС, дают возможность существенно сократить сроки последующих этапов модернизации РЭА и своевременной замены устаревшей элементной базы. Кроме того, наличие развитых библиотек фрагментов схем может существенно сократить затраты на разработку РЭА перспективных образцов ВВСТ.

Дизайн-центры, непосредственно разрабатывающие виртуальную элементную базу, могут не иметь (скорее всего, не должны иметь) собственное полупроводниковое производство, так как это экономически не оправдано. После доведения проекта до топологического уровня проектирования и оформления фрагментов схем в виде IP-блоков интеллектуальной собственности, пригодных для повторного использования, дизайн-центры могут по определенным критериям выбирать полупроводниковые фабрики из числа существующих для серийного производства проектируемых схем.

Создание технологии виртуальной элементной базы невозможно без использования современных систем автоматизации проектирования (САПР) на всех уровнях и этапах проектирования. Требование удешевления разработки виртуальной элементной базы, естественно, предполагает, что САПР целесообразно закупать у самостоятельных фирм, которые профессионально этим занимаются на протяжении многих лет, а не разрабатывать их силами дизайн-центров и разработчиков РЭА.

Таким образом, инфраструктура разработки и производства виртуальной элементной базы на основе технологии СБИС и СнК должна включать специализированные дизайн-центры, ориентированные на проектирование элементной базы для определенного ведомства, самостоятельные фабрики полупроводникового производства и самостоятельные компании автоматизации проектирования.

2. Необходимость существенного сокращения сроков проектирования и экономических затрат на проведение очередного этапа замены устаревшей элементной базы требует такого маршрута проектирования, который бы исключал возможность ошибок проектирования, исключал итерации перепроектирования, предоставлял широкие возможности для повторного использования ранее созданных IP-блоков. Поэтому маршрут проектирования СБИС и СнК для технологии виртуальной элементной базы должен в обязательном порядке включать этап моделирования и прототипирования проектируемой схемы на программируемых логических интегральных микросхемах (ПЛИС).

3. Создание ведомственной библиотеки IP-блоков интеллектуальной собственности требует срочного решения целого ряда задач, включая:

- разработку ведомственных стандартов и форматов оформления IP-блоков интеллектуальной собственности, их соответствие международным;

- юридическое оформление прав на интеллектуальную собственность разработанных IP-блоков, СБИС и СнК, включая определение собственника (разработчик РЭА, разработчик элементной базы, их совместная собственность, но в каких пропорциях) и обеспечение его исключительных прав и т.д.

4. Внедрение технологии виртуальной элементной базы в РЭА образцов ВВСТ требует пересмотра ряда позиций, связанных с эксплуатацией РЭА, включая:

- разработку системы технического обслуживания виртуальной элементной базы;

- разработку регламентирующих документов проведения регламентных, профилактических и ремонтных работ;

- разработку регламентирующих документов формирования ЗИП, его поддержания и восстановления при очередной замене устаревшей элементной базы;

- пролонгирование сроков «старения» элементной базы и ее замены в аппаратуре РЭА и т.д.

5. Технология виртуальной элементной базы предусматривает включение в инфраструктуру разработки и производства СБИС и СнК специализированных полупроводниковых дизайн-центров. Требует решения вопрос о статусе специализированных дизайн-центров:

- полностью самостоятельные фирмы;

- фирмы, входящие в состав определенного ведомства - производителя системы вооружения;

- фирмы, входящие в состав разработчиков РЭА определенного ведомства на правах подразделения.

6. Успешное внедрение технологии виртуальной элементной базы требует соответствующего конструктивного оформления и обоснования выбора типовых элементов замены РЭА. Так, разработчики РЭА, реализованной на элементной базе третьего поколения, выделяя для плат, ячеек, блоков и других конструкций РЭА функционально законченные узлы, имеющие минимальное количество входов и выходов, сами того не подозревая, существенно облегчили возможность применения технологии виртуальной элементной базы. Для РЭА перспективных образцов вооружения должны быть обоснованы и разработаны требования к конструктивному исполнению аппаратуры, типовым элементам замены, требования к разделению всего комплекса РЭА на платы, блоки, стойки, шкафы и т.д.

Подводя итог, можно сказать, что в статье обозначена проблема создания технологии виртуальной элементной базы для РЭА ВВСТ, в общих чертах определена инфраструктура ее разработки, производства и применения, обоснована срочная целесообразность ее внедрения, намечены возможные пути ее реализации, сформулированы основные задачи, решение которых обеспечит внедрение технологии виртуальной элементной базы в РЭА в сжатые сроки.

ЛИТЕРАТУРА

1. Попова А. А. Приборы и устройства радиоэлектронной аппаратуры. Обзор - М.: ВНИИПИ, 1987. - 93 с.

2. Колганов С.К., Лазаревич Э.Г. Новая технологическая основа. Системы на кристалле - путь к созданию перспективных образцов радиоэлектронной аппаратуры //Воздушно-космическая оборона. - 2006. - № 1 (26). - М. - С. 27-30.

З. Лазаревич Э.Г., Колганов С.К., Терешко СМ. Проблемные вопросы создания и развития радиоэлектронных систем военного назначения на основе технологии «система на кристалле» //Наука и военная безопасность. - 2006. - Ml. - Минск. -С 38- 42.

4. Лазаревич Э.Г., Колганов С.К. Новый технологический базис обеспечения эксплуатации, модернизации и продления жизненного цикла образцов вооружения и военной техники //Наука и военная безопасность. - 2006. - № 2. - Минск. -С. 33- 37.

5. Day V. Impact of electronics obsolescence on the life cycle costs of military systems // Air Force J. Logistics. - 1993. -P. 29- 33.

6. Рахманов А., Марютин В. Роль Минобороны в развитии перспективных РЭС //Журн. Военный парад. - 2004. -№ 6. -С. 48- 50.

7. Федоров В.К, Сергеев Н.П., Кондрашин А.А. Контроль и испытания в проектировании и производстве радиоэлектронных средств. - М.: Техносфера, 2005. - 504 с.

8. В. Немудров, Г. Мартин. Системы на кристалле. Проектирование и развитие. -М.: Техносфера, 2004. -216 с.


Для комментирования необходимо зарегистрироваться на сайте

  • <a href="http://www.instaforex.com/ru/?x=NKX" data-mce-href="http://www.instaforex.com/ru/?x=NKX">InstaForex</a>
  • share4you сервис для новичков и профессионалов
  • Animation
  • На развитие сайта

    нам необходимо оплачивать отдельные сервера для хранения такого объема информации